Транзисторду алмаштыруу схемалары кандай

2024 Автор: Trinity Chesterton | [email protected]. Акыркы өзгөртүү: 2024-01-02 00:34

Биполярдык транзистор классикалык үч терминалдуу түзүлүш болгондуктан, аны киргизүү жана чыгаруу үчүн жалпы бир чыгуусу бар электрондук схемага кошуунун үч жолу бар:

• жалпы база (CB) - жогорку чыңалуу өткөрүү коэффициенти;
• жалпы эмитент менен (CE) - токтун жана чыңалуудагы күчөтүлгөн сигнал;
• жалпы коллектор (OK) - күчөтүлгөн ток сигналы.

Транзистордун которуштуруу схемасынын үч сортунун ар биринде ал кириш сигналына башкача реакция кылат, анткени анын активдүү элементтеринин статикалык мүнөздөмөлөрү конкреттүү чечимден көз каранды.

Жалпы базалык схема үч типтүү биполярдык транзисторду күйгүзүү конфигурациясынын бири. Ал көбүнчө ток буфери же чыңалуу күчөткүч катары колдонулат. Мындай транзистордук коммутация схемалары бул жерде эмитент киргизүү схемасынын ролун аткарышы, чыгуу сигналы коллектордон алынышы жана базанын жалпы зымга «жерге туташтырылуусу» менен айырмаланат. Жалпы дарбаза күчөткүчтөрүндөгү FET которуштуруу схемалары окшош конфигурацияга ээ.

1-таблица. НегизгиОБ схемасы боюнча күчөтүү стадиясынын параметрлери.

Параметр	Айтма
Учурдагы киреше	Ik/Iin=Ik/I e=α[α<1]
In. каршылык	Rin=Uin/Iin=U be/Ie

ОБ транзисторлорунун коммутациялык схемалары туруктуу температуралык жана жыштыктык касиеттери менен мүнөздөлөт, бул алардын параметрлеринин (чыңалуу, ток, кириш каршылык) жумушчу чөйрөнүн температуралык шарттарына бир аз көз карандылыгын камсыз кылат. Схемадагы кемчиликтерге кичинекей R_{ВХжана учурдагы пайданын жоктугу кирет.}

Жалпы эмитенттүү схема абдан чоң пайданы камсыз кылат жана чыгууда инвертивдүү сигналды чыгарат, ал абдан чоң таралышы мүмкүн. Бул чынжырдагы пайда кыйшаюусу токтун температурасына абдан көз каранды, ошондуктан иш жүзүндөгү пайда бир аз күтүүсүз болот. Бул транзистордук которуштуруу схемалары жогорку R_{IN, токтун жана чыңалуу жогорулашын, кириш сигналынын инверсиясын, оңой которулууну камсыз кылат. Кемчиликтерге ашыкча күйгүзүү менен байланышкан көйгөйлөр кирет - стихиялуу оң жооп кайтаруу мүмкүнчүлүгү, кирүү динамикалык диапазонунан улам кичинекей сигналдарда бурмалоолордун пайда болушу.}

2-таблица. Күчөтүүнүн негизги параметрлериOE схемасы боюнча каскад

Параметр	Айтма
Факт. учурдагы пайда	Iout/Iin=Ik/I b=Ik/(Ie-Ik)=α/(1 -α)=β[β>>1]
In. каршылык	Rin=Uin / Iin=U be/Ib

Жалпы коллектор схемасы (электроникада эмитенттин жолдоочусу катары да белгилүү) транзистордук схемалардын үч түрүнүн бири. Анда киргизүү сигналы базалык схема аркылуу берилет, ал эми чыгуу сигналы транзистордун эмитенттик схемасындагы резистордон алынат. Бул күчөтүүчү стадия конфигурациясы, адатта, чыңалуу буфери катары колдонулат. Бул жерде транзистордун негизи кириш чынжырынын ролун аткарат, эмитент чыгуучу, ал эми жерге туташтырылган коллектор жалпы чекиттин милдетин аткарат, демек схеманын аталышы. Аналогдор жалпы дренажы бар талаа эффективдүү транзисторлор үчүн коммутациялык схемалар болушу мүмкүн. Бул ыкманын артыкчылыгы - күчөтүү стадиясынын бир кыйла жогорку кириш импедансы жана салыштырмалуу төмөн чыгуу импедансы.

3-таблица. ОК схемасы боюнча күчөткүч баскычынын негизги параметрлери.

Параметр	Айтма
Факт. учурдагы пайда	Iout/Iin=Ie/Ib =Ie/(Ie-Ik)=1/(1-α)=β [β>>1]
Кофф. чыңалуу	Uout /Uin=URe/(U be+URe) < 1
In. каршылык	Rin=Uin/Iin=U be/Ie

Электрондук түзүлүштүн максатына жана аны колдонуу шарттарына жараша үч типтүү транзисторду алмаштыруу схемалары тең схемаларда кеңири колдонулат.